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　　1.什么是寬禁帶半導(dǎo)體

　　第三代半導(dǎo)體（本文以SiC和GaN為主）又稱寬禁帶半導(dǎo)體，禁帶寬度在2.2eV以上，具有高擊穿電場(chǎng)、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率等特點(diǎn)，逐步受到重視。SiC與GaN相比較，前者相對(duì)GaN發(fā)展更早一些，技術(shù)成熟度也更高一些；兩者有一個(gè)很大的區(qū)別是熱導(dǎo)率x，這使得在高功率應(yīng)用中，SiC占據(jù)統(tǒng)治地位；同時(shí)由于GaN具有更高的電子遷移率，因而能夠比SiC或Si具有更高的開(kāi)關(guān)速度，在高頻率應(yīng)用領(lǐng)域，GaN具備優(yōu)勢(shì)。

　　2.寬禁帶半導(dǎo)體靜態(tài)測(cè)試

　　靜態(tài)測(cè)試

　　靜態(tài)：也叫穩(wěn)態(tài)或者DC狀態(tài)，施加激勵(lì)（電壓/電流）到穩(wěn)定狀態(tài)后再進(jìn)行測(cè)試。

　　常作為器件的“體檢”！是特性測(cè)試中的基本測(cè)試；

　　特點(diǎn)：測(cè)試穩(wěn)定，精度高，測(cè)試慢；

　　靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的，與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)。靜態(tài)參數(shù)測(cè)試又叫穩(wěn)態(tài)或者DC（直流）狀態(tài)測(cè)試，施加激勵(lì)(電壓/電流)到穩(wěn)定狀態(tài)后再進(jìn)行的測(cè)試。主要包括：柵極開(kāi)啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級(jí)間耐壓、源極漏級(jí)間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉(zhuǎn)移電容、輸出電容)，以及以上參數(shù)的相關(guān)特性曲線的測(cè)試。

　　設(shè)備：源和測(cè)量單元一體，也就是SMU設(shè)備；

　　吉時(shí)利2450

　　2450型是Keithley的新一代源測(cè)量單元(SMU)儀器，可輕松執(zhí)行歐姆定律（電流、電壓和電阻）測(cè)試。其創(chuàng)新的圖形用戶界面(GUI)和先進(jìn)的電容式觸摸屏技術(shù)讓使用變得非常直觀，并最大程度地減少學(xué)習(xí)曲線，從而使工程師和科學(xué)家能夠更快地學(xué)習(xí)、更智能地工作且更輕松地進(jìn)行發(fā)明創(chuàng)造，如果您有更多疑問(wèn)或需求可以關(guān)注西安安泰測(cè)試***！非常榮幸為您排憂解難。